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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     2805-IRF840PBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRF840PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 5,1A
Widerstand im Leitungszustand: 0,85Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 63nC
Dicke Kühlkörper: 1,14...1,4mm
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 32A
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