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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     2805-IRF8010PBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF8010PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 80A
Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 260W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 81nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Die Konditionen im Überblick1
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