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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9,5A; 82W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9,5A; 82W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9,5A; 82W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     2805-IRF630NPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF630NPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 9,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,3Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 82W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 23,3nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 200v
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