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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7

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Produktinformationen:

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7

Artikel-Nr.:
2805-IPB017N10N5ATMA1

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPB017N10N5ATMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO263-7
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 180A
Widerstand im Leitungszustand: 1,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 375W
Polarisierung: unipolar
Technologie: OptiMOS™ 5
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

... > FET-Transistoren > N-Kanal-Transistoren > N-Kanal-Transistoren SMD

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet d2pak

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