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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,19A; Idm: 1,2A; 830mW


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,19A; Idm: 1,2A; 830mW
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,19A; Idm: 1,2A; 830mW
Artikel-Nr.:
     2805-2N7002.215
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     2N7002,215
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23;TO236AB
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,19A
Widerstand im Leitungszustand: 5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,83W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Technologie: Trench
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 1,2A
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