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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK)


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     139-2617439
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB117N20NFDATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS FD
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 84 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 200 V
  • Verlustleistung: 300 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IPB117N20NFDATMA1, 2617439, 261-7439
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