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MOSFET N/N, 100 V 2.1 A 1.8 W SO-8


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115-30041564
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     ZXMN10A08DN8TA
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SO-8, Polarität: N/N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 1.8 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.001 kg
Nettogewicht:
0.001 kg
Ursprungsland:
JP
Weitere Suchbegriffe: mosfet 100v, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-, MOSFETs
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