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IR Fototransistor


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115-17522337
Hersteller:
     Hamamatsu Photonics
Herst.-Nr.:
     S2829
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Fototransistor
fototransistor
IR Fototransistor, Fotostrom: 0...NaN, Anschlüsse: 2, Kollektor-Emitter Spannung: 35 V, Wellenlänge der maximalen Fotoempfindlichkeit: 850 nm
Weitere Informationen:
Höhe:
2 mm
Breite:
4 mm
Tiefe:
8 mm
Ursprungsland:
JP
Weitere Suchbegriffe: IR Fototransistoren, Infrarot-Fototransistoren, Fototransistoren, IR
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