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MOSFET N, 1000 V 24 A 600 W SOT-227B


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115-17131372
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN24N100
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...150 °C, Gehäusetyp: SOT-227B, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 600 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.030 kg
Nettogewicht:
0.030 kg
Höhe:
12 mm
Breite:
25 mm
Tiefe:
38 mm
Ursprungsland:
US
Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys diode, diode, mosfet sot, MOSFETs, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-
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Art
Bild
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