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MOSFET N, 200 V 120 A 714 W TO-3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Artikelbild
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Artikel-Nr.:
     115-17111081
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTQ120N20P
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys rf mosfet
mosfet
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-3P, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 714 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.006 kg
Nettogewicht:
0.006 kg
Höhe:
5 mm
Breite:
16 mm
Tiefe:
28 mm
Ursprungsland:
US
Weitere Suchbegriffe: MOSFETs, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-
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