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MOSFET N, 200 V 50 A 360 W TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115-17111075
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTP50N20P
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 360 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.001 kg
Nettogewicht:
0.001 kg
Höhe:
5 mm
Breite:
10 mm
Tiefe:
30 mm
Ursprungsland:
US
Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys diode, diode, transistor to-220, MOSFETs, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-
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