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MOSFET N, 100 V 1.3 A 1.3 W HEXDIP


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115-17107429
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFD110PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
HEXFET
Hexfet Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: HEXDIP, Polarität: N, Verlustleistung: 1.3 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.001 kg
Nettogewicht:
0.001 kg
Höhe:
5 mm
Breite:
10 mm
Tiefe:
10 mm
Ursprungsland:
PH
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, hexfet, mosfet 100v, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-, MOSFETs
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Warenzustand:unbenutzt
Rücksendekosten:trägt der Kunde
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