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MOSFET P, -30 V -6.0 A 2.1 W PQFN-6 (2x2)


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115-17101258
Hersteller:
     IR
Herst.-Nr.:
     IRFHS9301TR2PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet ir
mosfet
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: PQFN-6 (2x2), Polarität: P, Verlustleistung: 2.1 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.001 kg
Höhe:
1 mm
Breite:
1 mm
Tiefe:
1 mm
Ursprungsland:
TH
Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, MOSFETs, FETs, Leistungs-, Transistoren, Feldeffekt-
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