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IGBT SOT-227B 1200 V 85 A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     115-17100370
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXDN55N120D1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
Dual Transistor
IGBT
Schalttransistor
IGBT, Gehäusetyp: SOT-227B, Kollektor-Emitter Breakdown-Spannung: 1200 V, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung: 2.5 V, Stromabfallzeit: 70 ns, Verlustleistung: 450 W
Weitere Informationen:
Bruttogewicht:
0.027 kg
Nettogewicht:
0.027 kg
Höhe:
15 mm
Breite:
25 mm
Tiefe:
40 mm
Ursprungsland:
US
Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Transistor, ixys igbt, smd-transistor, IGBTs, Transistoren, IGB
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