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SKM100GB12T4 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 160 A, SEMITRANS2 7-Pin


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-687-4958
Hersteller:
     Semikron
Herst.-Nr.:
     SKM100GB12T4
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
semikron igbt
igbt
Transistor-Konfiguration = Serie
Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A
Kollektor-Emitter- = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Channel-Typ = N
Montage-Typ = Frontplattenmontage
Gehäusegröße = SEMITRANS2
Pinanzahl = 7
Abmessungen = 94 x 34 x 30.1mm
Höhe = 30.1mm
Länge = 94mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Breite = 34mm

Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
Weitere Suchbegriffe: 6874958, Halbleiter, Diskrete Bauteile, Transistormodule IGBT, Semikron, SKM100GB12T4
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