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QFET FQP13N10 N-Kanal MOSFET, 100 V / 12,8 A, 65 W, TO-220AB 3-Pin


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-145-5363
Hersteller:
     ON Semiconductor
Herst.-Nr.:
     FQP13N10
EAN/GTIN:
     5059042682328
Suchbegriffe:
Leistungsfaktorkorrektur
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = Durchsteckmontage
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 65 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 12 nC @ 10 V

N-Kanal-MOSFET QFET®, 11 A bis 30 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
12,8 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
Durchsteckmontage
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
180 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
65 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, mosfet 100v, 1455363, Halbleiter, Diskrete Bauteile, ON Semiconductor, FQP13N10
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