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Infineon Technologies IRFB7540PBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-564043-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFB7540PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Infineon Technologies IRFB7540PBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 4555 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 110 A · Leistung (max) P(TOT): 160 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 130 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 5.1 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 65 A · Serie (Halbleiter): HEXFET®,StrongIRFET™ · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 100 µA · U(GS)(th) max.: 3.7 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220AB
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Serie (Halbleiter):
HEXFET® | StrongIRFET™
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRFB7540PBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
4555 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
110 A
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
160 W
Q(G):
130 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
5.1 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
65 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
100 µA
U(DSS):
60 V
U(GS)(th) max.:
3.7 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
60 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet 60v, Infineon Technologies, IRFB7540PBF, 820-8849, International Rectifier
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