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Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220


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Produktinformationen
Produktabbildung
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Artikel-Nr.:
     102-162873-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLZ34NPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): HEXFET · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 880 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 30 A · Leistung (max) P(TOT): 68 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 25 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 5 V · R(DS)(on): 35 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 16 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220
Ausführung (Transistoren):
HEXFET
Serie (Halbleiter):
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRLZ34NPBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
880 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
30 A
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
68 W
Q(G):
25 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
5 V
R(DS)(on):
35 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
16 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
55 V
U(GS)(th) max.:
2 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
55 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, to-220 mosfet, Infineon Technologies, IRLZ34NPBF, 541-1247, International Rectifier
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