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Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 P-Kanal 38 W I-PAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Produktabbildung
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Artikel-Nr.:
     102-162730-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFU9024NPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 P-Kanal 38 W I-PAK

HEXFET/FETKY

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 350 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): I-PAK · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 11 A · Leistung (max) P(TOT): 38 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 19 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 175 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 6.6 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
I-PAK
Ausführung (Transistoren):
P-Kanal
Serie (Halbleiter):
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRFU9024NPBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
11 A
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
38 W
Q(G):
19 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
175 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
6.6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
55 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
55 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Infineon Technologies, IRFU9024NPBF, 541-1657, International Rectifier
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