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Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4


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Produktinformationen
Produktabbildung
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Artikel-Nr.:
     102-162582-BP
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFD110PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W DIP-4

MOSFET (HEXFET)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 180 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): DIP-4 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): VIS · I(d): 1 A · Leistung (max) P(TOT): 1.3 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 8.3 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 540 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 600 mA · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Vishay
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Vishay
Gehäuseart (Halbleiter):
DIP-4
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
VIS
Typ (Hersteller-Typ):
IRFD110PBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
180 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
I(d):
1 A
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
1.3 W
Q(G):
8.3 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
540 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
600 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
100 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
100 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet 100v, Vishay, IRFD110PBF, 541-1039, IRFD110PBF-ND
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