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| Artikel-Nr.: 102-153241-BP Herst.-Nr.: BFR193 EAN/GTIN: k.A. |
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| NPN-Breitbandtransistor
NPN-Breitbandtransistor (8 mm-Gurt).
Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 80 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 8 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 12 V · Leistung (max) P(TOT): 580 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Produkt-Art: HF-Transistor (BJT) · Rauschzahl F (max.): 1.6 dB · Rauschzahl F (min.): 1 dB · Transitfrequenz f(T): 8 GHz · Typ (Hersteller-Typ): BFR193
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Infineon Technologies | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | Infineon Technologies | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-236-3 | Ausführung (Transistoren): | NPN | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | INF | Typ (Hersteller-Typ): | BFR193 | Montageart: | Oberflächenmontage | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 12 V | Collector-Strom I(C): | 80 mA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: | 30 mA | DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: | 8 V | DC Stromverstärkung (hFE): | 70 | Rauschzahl F (max.): | 1.6 dB | Rauschzahl F (min.): | 1 dB | Leistung (max) P(TOT): | 580 mW | Transitfrequenz f(T): | 8 GHz | Produkt-Art: | HF-Transistor (BJT) |
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| | Lagerstand | Mind.-Menge | | Einheit | Versand | | | | | | | | | | | | | | 100 | | pro Stück | € 4,00* | ab € 0,142* | € 0,265* | | | | Lager 102 | | | | 15 | | pro Stück | Frei Haus | ab € 0,18* | € 0,32* | | | | | | 6 Tage | | | 1 | | pro Paket | € 6,99* | ab € 51,11* | € 67,93* | | | | | | | | | | | | | | | | | Preise: Lager 102 | | Bestellmenge | Netto | Brutto | Einheit | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Mindestbestellmenge: 15 Stück ( entspricht € 4,80* zzgl. MwSt. ) |
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