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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847BW SOT-323-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-153170-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BC847BW
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor npn
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847BW SOT-323-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Tape cut

NF-Transistor

NPN-Transistor (8 mm-Gurt)

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor Reststrom I(CES): 15 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung (max) P(TOT): 250 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 250 MHz · VCE Sättigung (max.): 600 mV · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Verpackungsart (Bauteile):
Tape cut
Gehäuseart (Halbleiter):
SOT-323-3
Ausführung (Transistoren):
NPN
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
BC847BW
Montageart:
Oberflächenmontage
Kollektor Reststrom I(CES):
15 nA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
45 V
Collector-Strom I(C):
100 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
2 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
DC Stromverstärkung (hFE):
200
Leistung (max) P(TOT):
250 mW
Transitfrequenz f(T):
250 MHz
VCE Sättigung (max.):
600 mV
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor infineon, Infineon Technologies, BC847BW, 145-9623
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