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| Artikel-Nr.: 102-153042-BP Herst.-Nr.: BF999 EAN/GTIN: k.A. |
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| Infineon Technologies BF999 MOSFET 1 N-Kanal 200 mW TO-236-3
MOSFET-Tetrode
MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) .
Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 2.5 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 30 mA · Leistung (max) P(TOT): 200 mW · Montageart: Oberflächenmontage · U(DSS): 20 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 10 mA · U(GS)(th) max.: 12 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Infineon Technologies | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | Infineon Technologies | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-236-3 | Ausführung (Transistoren): | N-Kanal | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | INF | Typ (Hersteller-Typ): | BF999 | Montageart: | Oberflächenmontage | C(ISS): | 2.5 pF | C(ISS) Referenz-Spannung: | 10 V | I(d): | 30 mA | Betriebstemperatur (max.): | +150 °C | Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C | Leistung (max) P(TOT): | 200 mW | U(GS)(th) Referenz-Strom max.: | 10 mA | U(DSS): | 20 V | U(GS)(th) max.: | 12 V | Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 20 V | Produkt-Art: | MOSFET |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20v, Infineon Technologies, BF999, FET, Feldeffekt-transistor |
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