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NXP Semiconductors Z-Diode C30V ZO Gehäuseart (Halbleiter) SOD-110 Zener-Spannung 30 V Leistung (max) P(TOT) 400 mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-148962-BP
Hersteller:
     NXP
Herst.-Nr.:
     C30V ZO
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Z-Diode
Zenerdiode
z diode
Zener-Diode Typ BZX 284 C

Keramikgehäuse.

Technische Daten:
Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Durchlassspannung Referenz: 10 mA · Durchlassspannung U(F): 0.9 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOD-110 · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Impedanz (Numeric): 10 Ω · Impedanz Referenz: 2 mA · Konfiguration: einfache Diode · Leistung (max) P(TOT): 400 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Produkt-Art: Z-Diode · Rest-Sperrstrom: 50 µA · Typ (Hersteller-Typ): C30V ZO · Zener-Spannung: 30 V · Zener-Spannung (max.): 32 V · Zener-Spannung (min.): 28 V · Zener-Spannung Toleranz: +5 %,-5 %

Weitere Suchbegriffe: NXP Semiconductors, C30V ZO, z-diode
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