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NXP Semiconductors Z-Diode C8,2V ZB Gehäuseart (Halbleiter) SOD-110 Zener-Spannung 8.2 V Leistung (max) P(TOT) 400 mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-148466-BP
Hersteller:
     NXP
Herst.-Nr.:
     C8,2V ZB
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Zenerdiode
zenerdiode
Zener-Diode Typ BZX 284 C

Keramikgehäuse.

Technische Daten:
Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 10 mA · Durchlassspannung U(F): 0.9 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOD-110 · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Impedanz (Numeric): 6 Ω · Impedanz Referenz: 5 mA · Konfiguration: einfache Diode · Leistung (max) P(TOT): 400 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Rest-Sperrstrom: 700 µA · RoHS-konform: Ja · Typ (Hersteller-Typ): C8,2V ZB · Zener-Spannung: 8.2 V · Zener-Spannung (max.): 8.7 V · Zener-Spannung (min.): 7.7 V · Zener-Spannung Toleranz: +5 %,-5 %

Weitere Suchbegriffe: NXP Semiconductors, C8, 2V ZB
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