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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCX17,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-145670-BP
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     BCX17,215
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor pnp
Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCX17,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut

SMD-Transistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · Kollektor Reststrom I(CES): -100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -45 V · Leistung (max) P(TOT): 250 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Serie (Halbleiter): Technique automobile/AEC-Q101 · Transitfrequenz f(T): 80 MHz · VCE Sättigung (max.): -620 mV · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Nexperia
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Nexperia
Verpackungsart (Bauteile):
Tape cut
Gehäuseart (Halbleiter):
SOT-23
Ausführung (Transistoren):
PNP
Serie (Halbleiter):
Technique automobile/AEC-Q101
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
NEX
Typ (Hersteller-Typ):
BCX17|ツ|215
Montageart:
Oberflächenmontage
Kollektor Reststrom I(CES):
-100 nA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
-45 V
Collector-Strom I(C):
-500 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
-100 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
-1 V
DC Stromverstärkung (hFE):
100
Leistung (max) P(TOT):
250 mW
Transitfrequenz f(T):
80 MHz
VCE Sättigung (max.):
-620 mV
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor sot-23, Nexperia, BCX17, 215
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