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ON Semiconductor Optokoppler Phototransistor 4N35TVM DIP-6 Transistor mit Basis DC


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1265488-BP
Hersteller:
     ON Semiconductor
Herst.-Nr.:
     4N35TVM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Fototransistor
Optokoppler
RMS-DC-Wandler
fototransistor
Optokoppler/-Isolator

Technische Daten:
Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.18 V · Durchlassstrom I(F): 60 mA · Eingangstyp: DC · Gehäuseart (Halbleiter): DIP-6 · Hersteller: ON Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Isolationsspannung: 4170 V RMS · Kriechstrecke: 7 mm · Leistung (max) P(TOT): 270 mW · Montageart: Durchführungsloch · Optokoppler-Typ (Kategorisierung): Optokoppler Phototransistor · RoHS-konform: Ja · Spannungs-Ausgabe (max): 30 V · Sperrspannung U(R): 6 V · Strom-Übertragungsrate (min.): 100 % · Strom-Übertragungsrate (min.) - Stromreferenz: 10 mA · Typ (Hersteller-Typ): 4N35TVM · VCE Sättigung (max.): 300 mV

Weitere Suchbegriffe: ON Semiconductor, 4N35TVM, 4N35TVM-ND, Fairchild
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