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ON Semiconductor Optokoppler Phototransistor 4N29M DIP-4 Darlington mit Basis DC


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Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1265469-BP
Hersteller:
     ON Semiconductor
Herst.-Nr.:
     4N29M
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Fototransistor
Optokoppler
RMS-DC-Wandler
fototransistor
Optokoppler/-Isolator

Technische Daten:
Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.2 V · Durchlassstrom I(F): 10 mA · Eingangstyp: DC · Gehäuseart (Halbleiter): DIP-4 · Hersteller: ON Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Isolationsspannung: 4170 V RMS · Kriechstrecke: 7 mm · Leistung (max) P(TOT): 270 mW · Montageart: Durchführungsloch · Optokoppler-Typ (Kategorisierung): Optokoppler Phototransistor · RoHS-konform: Ja · Spannungs-Ausgabe (max): 70 V · Sperrspannung U(R): 6 V · Strom-Übertragungsrate (min.): 100 % · Strom-Übertragungsrate (min.) - Stromreferenz: 500 µA · Stromausgang/Kanal: 50 mA · Stromübertragungsverhältnis (max.): 250 % · Typ (Hersteller-Typ): 4N29M · VCE Sättigung (max.): 1 V

Weitere Suchbegriffe: ON Semiconductor, 4N29M, 4N29M-ND, Fairchild
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