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STMicroelectronics M4T32-BR12SH6 Takt-Timing-IC - Batterie 120 mAh Batterie und Kristall Lithium SOIC-28


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1258173-BP
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     M4T32-BR12SH6
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
4000 CMOS
NV RAM
NVRAM
NVRAM Speicher
STMicroelectronics M4T32-BR12SH6 Takt-Timing-IC - Batterie 120 mAh Batterie und Kristall Lithium SOIC-28

Takt-Timing-IC - Batterie

Integrierte Schaltkreise führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche Ihnen zum kostenlosen Download bereitsteht.

Technische Daten:
Batterieart (PMIC - Batteriemanagement): Lithium · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Frequenz: 32.768 kHz · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-28 · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kapazität (mAh, Ah): 120 mAh · Ladekapazität: 12.5 pF · Montageart: Durchführungsloch · Produkt-Art: Takt-Timing-IC - Batterie · Serie (Halbleiter): Timekeeper®,Snaphat® · Spannung: 2.8 V · Typ (Hersteller-Typ): M4T32-BR12SH6 · Typ (Linear): Batterie und Kristall

Weitere Informationen:
Hersteller:
STMicroelectronics
Kapazität (mAh, Ah):
120 mAh
Marke:
STMicroelectronics
Batterieart (PMIC - Batteriemanagement):
Lithium
Gehäuseart (Halbleiter):
SOIC-28
Serie (Halbleiter):
Timekeeper® | Snaphat®
Typ (Linear):
Batterie und Kristall
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
STM
Typ (Hersteller-Typ):
M4T32-BR12SH6
Montageart:
Durchführungsloch
Frequenz:
32.768 kHz
Ladekapazität:
12.5 pF
Betriebstemperatur (max.):
-40 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
+85 °C
Spannung:
2.8 V
Produkt-Art:
Takt-Timing-IC - Batterie
Weitere Suchbegriffe: NVSRAM, NVSRAM Speicher, Quarz Halbleiter, quarz halbleiter, STMicroelectronics, M4T32-BR12SH6, 714-0861, 497-3688-5-ND
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Warenzustand:unbenutzt
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