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TVS-Diode STMicroelectronics SMX1J7.5A-TR µQFN-2 8.3 V 800 W


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Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1183795-BP
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     SMX1J7.5A-TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
diode
TVS-Diode

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): TVS-Diode · Durchbruchspannung U(BR): 8.3 V · Gehäuseart (Halbleiter): µQFN-2 · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Klemmenspannung U(CL): 20 V · Leistung (max) P(TOT): 800 W · Montageart: Oberflächenmontage · Polung: Unidirektional · RoHS-konform: Ja · Serie (Halbleiter): SMXJ,TRANSIL™ · Sperrspannung U(R): 7.5 V · Spitzenstrom I(pp): 40 A · Stromleitungsschutz: Nein · Typ (Hersteller-Typ): SMX1J7.5A-TR

Weitere Suchbegriffe: STMicroelectronics, SMX1J7.5A-TR, 497-10294-1-ND
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