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Avalanche Diode NXP Semiconductors BAS31,235 SOT-23-3 90 V 250 mA


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1111596-BP
Hersteller:
     NXP
Herst.-Nr.:
     BAS31,235
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Avalanchediode
Diode
avalanchediode
Diode

Technische Daten:
Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Avalanche Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1 V · Durchlassstrom I(F): 250 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Montageart: Oberflächenmontage · Sperrspannung U(R): 90 V · Sperrstrom I(r): 100 nA · Sperrstrom I(r) - Referenz: 90 V · Sperrverzugszeit T(rr): 50 ns · Typ (Hersteller-Typ): BAS31,235

Weitere Suchbegriffe: NXP Semiconductors, BAS31, 235
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