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Z-Diode TDZ4V7J,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-323F NXP Semiconductors Zener-Spannung 4.7 V Leistung (max) P(TOT) 500 m


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1111427-BP
Hersteller:
     NXP
Herst.-Nr.:
     TDZ4V7J,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Zenerdiode
zenerdiode
Z-Diode

Technische Daten:
Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 10 mA · Durchlassspannung U(F): 900 mV · Gehäuseart (Halbleiter): SOD-323F · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Impedanz (Numeric): 80 Ω · Impedanz Referenz: 5 mA · Konfiguration: einfache Diode · Leistung (max) P(TOT): 500 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Rest-Sperrstrom: 3 µA · Rest-Sperrstrom Referenz: 2 V · Typ (Hersteller-Typ): TDZ4V7J,115 · Zener-Spannung: 4.7 V · Zener-Spannung (max.): 4.8 V · Zener-Spannung (min.): 4.6 V · Zener-Spannung Toleranz: +2 %,-2 %

Weitere Suchbegriffe: NXP Semiconductors, TDZ4V7J, 115
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