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Z-Diode BZX79-C10,113 Gehäuseart (Halbleiter) Axial NXP Semiconductors Zener-Spannung 10 V Leistung (max) P(TOT) 400 mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1111325-BP
Hersteller:
     NXP
Herst.-Nr.:
     BZX79-C10,113
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Zenerdiode
zenerdiode
Z-Diode

Technische Daten:
Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 10 mA · Durchlassspannung U(F): 900 mV · Gehäuseart (Halbleiter): Axial · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Impedanz (Numeric): 20 Ω · Impedanz Referenz: 5 mA · Konfiguration: einfache Diode · Leistung (max) P(TOT): 400 mW · Montageart: Durchführungsloch · Rest-Sperrstrom: 200 nA · Rest-Sperrstrom Referenz: 7 V · Typ (Hersteller-Typ): BZX79-C10,113 · Zener-Spannung: 10 V · Zener-Spannung (max.): 10.5 V · Zener-Spannung (min.): 9.5 V · Zener-Spannung Toleranz: +5 %,-5 %

Weitere Suchbegriffe: NXP Semiconductors, BZX79-C10, 113
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