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Z-Diode PDZ33B,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-323 NXP Semiconductors Zener-Spannung 33 V Leistung (max) P(TOT) 400 mW


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-1111060-BP
Hersteller:
     NXP
Herst.-Nr.:
     PDZ33B,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Zenerdiode
zenerdiode
Z-Diode

Technische Daten:
Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.1 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOD-323 · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Impedanz (Numeric): 40 Ω · Impedanz Referenz: 5 mA · Konfiguration: einfache Diode · Leistung (max) P(TOT): 400 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Rest-Sperrstrom: 50 nA · Rest-Sperrstrom Referenz: 25 V · Typ (Hersteller-Typ): PDZ33B,115 · Zener-Spannung: 33 V · Zener-Spannung (max.): 33.7 V · Zener-Spannung (min.): 32.3 V · Zener-Spannung Toleranz: +2 %,-2 %

Weitere Suchbegriffe: NXP Semiconductors, PDZ33B, 115
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