Kategorien
Tipp: suchen Sie direkt nach: transistor toshiba, transistor npn, transistoren pnp
Ȇber MercateoWillkommen! Anmelden
Mein Mercateo
Warenkorb
 
 
 >  >  >  > Transistor

  Transistor bei Mercateo online kaufen (17.488 Angebote unter 23.756.334 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Transistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Bestellen
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 500mW; TO92 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 100mA Power dissipation: 500mW Gehäuse: TO92 Transistorverstärkung: 200 Montage: THT Verpackungs-...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
BC547B
ab € 0,01206*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP BC107A TRANSISTOR, NPN, TO-18 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 110 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: 600 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 200 ᄚC MSL...
Multicomp
BC107A
ab € 0,275*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 310mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 500mA Power dissipation: 310mW Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Band; Rolle Frequenz:...
Diodes
BC817-40
ab € 0,0182*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0,1A; 230mW; SC59; R1:10kΩ (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Transistor-Art: BRT Kollektor-Emitter-Spannung: 50V Kollektor-Emitter-Strom: 0.1A Power dissipation: 230mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: Ban...
ON Semiconductor
MUN2211T1G
ab € 0,01102*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON FP15R12W1T4_B3 IGBT, LOW-POWER, 1200V, 15A, EASYPIM (2 Angebote) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: 130 W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 15 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 kV Wandl...
Infineon
FP15R12W1T4_B3
ab € 26,98*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP BC107 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.2A, TO-18 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 110 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: 600 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 200 ᄚC MSL...
Multicomp
BC107
ab € 0,243*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP TIP131 DARLINGTON-TRANSISTOR, TO-220 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 1000 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: 70 W DC-Kollektorstrom: 8 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - ...
Multicomp
TIP131
ab € 0,567*
pro Stück
 
 Stück
Transistor BC547B NPN 45 V 100 mA 300 MHz, HFE:110, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter- = 45 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = Durchsteckmontage Verlustleistung max. = 500 mW Gleichstromverstärkung min. = 110 T...
ON Semiconductor
BC547B
ab € 6,50*
pro 50 Stück
 
 Paket
Transistor BC557BTA PNP 45 V 100 mA 150 MHz, HFE:110, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter- = 45 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = Durchsteckmontage Verlustleistung max. = 500 mW Gleichstromverstärkung min. = 110 T...
ON Semiconductor
BC557BTA
ab € 5,69*
pro 100 Stück
 
 Paket
Transistor MJB42CT4G PNP 100 V 6 A 1 MHz, HFE:15, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter- = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 65 W Gleichstromverstärkung min. = 15 Transistor-...
ON Semiconductor
MJB42CT4G
ab € 4,44*
pro 5 Stück
 
 Paket
Transistor: IGBT; 600V; 23A; 100W; TO220AB (1 Angebot) 
Transistor-Typ: IGBT Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 23A Leistung: 100W Gehäuse: TO220AB Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Hersteller: Infineon (IRF)
INFINEON (IRF)
IRG4BC30WPBF
ab € 1,03*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 3,9A; 190W; TO247AC (3 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1000V Drainstrom: 3.9A Leistung: 190W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 2Ω Montage: ...
Vishay
IRFPG50PBF
ab € 1,56*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Leistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12Ω Montage: ...
ON Semiconductor
BSS123L
ab € 0,0249*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (2 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SIPMOS™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Leistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungsz...
Infineon
BSS169H6327XTSA1
ab € 0,0776*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150mA; 250mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 150mA Leistung: 250mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Montage: S...
NEXPERIA
BSS123.215
ab € 0,0267*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   1166   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema Transistor
^

Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.