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MULTICOMP BC107A TRANSISTOR, NPN, TO-18 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 110 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: 600 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 200 ᄚC MSL...
Multicomp
BC107A
ab € 0,275*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON FP15R12W1T4_B3 IGBT, LOW-POWER, 1200V, 15A, EASYPIM (2 Angebote) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: 130 W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 15 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 kV Wandl...
Infineon
FP15R12W1T4_B3
ab € 27,06*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP BC107 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.2A, TO-18 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 110 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: 600 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 200 ᄚC MSL...
Multicomp
BC107
ab € 0,243*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP BC547B TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.1A, TO-92 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 200 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: 625 mW SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) DC-Kollektorstrom: 100 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL...
Multicomp
BC547B
ab € 0,0299*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP TIP131 DARLINGTON-TRANSISTOR, TO-220 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 1000 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: 70 W DC-Kollektorstrom: 8 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - ...
Multicomp
TIP131
ab € 0,567*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 500mW; TO92 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 100mA Power dissipation: 500mW Gehäuse: TO92 Transistorverstärkung: 200 Montage: THT Verpackungs-...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
BC547B
ab € 0,01199*
pro Stück
 
 Stück
ALLEGRO SANKEN 2SA1386 TRANSISTOR, PNP, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 50 hFE Verlustleistung Pd: 130 W DC-Kollektorstrom: -15 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: TO-3P RoHS-konform bezügli...
Allegro Microsystems
2SA1386
ab € 1,77*
pro Stück
 
 Stück
ALLEGRO SANKEN 2SB1560 DARLINGTON-TRANSISTOR, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 5000 hFE Verlustleistung Pd: 100 W DC-Kollektorstrom: 10 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: TO-3P RoHS-konform bezügl...
Allegro Microsystems
2SB1560
ab € 1,46*
pro Stück
 
 Stück
ALLEGRO SANKEN 2SC3263 TRANSISTOR, NPN, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 50 hFE Verlustleistung Pd: 130 W DC-Kollektorstrom: 15 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: TO-3P RoHS-konform bezüglic...
Allegro Microsystems
2SC3263
ab € 2,27*
pro Stück
 
 Stück
BROADCOM LIMITED ATF-52189-BLK TRANSISTOR, GAAS, HOHE LINEARITÄT (1 Angebot) 
Betriebsfrequenz, max.: 6 GHz RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Bauform - HF-Transistor: SOT-89 Verlustleistung Pd: 1.5 W Dauer-Drainstrom Id: 500 mA SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Betriebstemperat...
Broadcom
ATF-52189-BLK
ab € 2,93*
pro Stück
 
 Stück
Transistor 2SB1216S-TL-E PNP 100 V 4 A 1 MHz, HFE:140, TP-FA 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 4 A Kollektor-Emitter- = 100 V Gehäusegröße = TP-FA Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 20 W Gleichstromverstärkung min. = 140 Transistor-Konfigur...
ON Semiconductor
2SB1216S-TL-E
ab € 1,98*
pro 5 Stück
 
 Paket
Transistor BC547B NPN 45 V 100 mA 300 MHz, HFE:110, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter- = 45 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = Durchsteckmontage Verlustleistung max. = 500 mW Gleichstromverstärkung min. = 110 T...
ON Semiconductor
BC547B
ab € 6,35*
pro 50 Stück
 
 Paket
Transistor BC557BTA PNP 45 V 100 mA 150 MHz, HFE:110, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter- = 45 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = Durchsteckmontage Verlustleistung max. = 500 mW Gleichstromverstärkung min. = 110 T...
ON Semiconductor
BC557BTA
ab € 5,71*
pro 100 Stück
 
 Paket
Transistor MJB42CT4G PNP 100 V 6 A 1 MHz, HFE:15, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter- = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 65 W Gleichstromverstärkung min. = 15 Transistor-...
ON Semiconductor
MJB42CT4G
ab € 4,41*
pro 5 Stück
 
 Paket
Transistor: IGBT; 600V; 23A; 100W; TO220AB (1 Angebot) 
Transistor-Typ: IGBT Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 23A Leistung: 100W Gehäuse: TO220AB Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Hersteller: Infineon (IRF)
INFINEON (IRF)
IRG4BC30WPBF
ab € 1,04*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 3,9A; 190W; TO247AC (3 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 1000V Drainstrom: 3.9A Leistung: 190W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 2Ω Montage: ...
Vishay
IRFPG50PBF
ab € 1,58*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Leistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12Ω Montage: ...
ON Semiconductor
BSS123L
ab € 0,0249*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150mA; 250mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 150mA Leistung: 250mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Montage: S...
NEXPERIA
BSS123.215
ab € 0,0265*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8,3A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 8.3A Leistung: 2.5W Gehäuse: SO8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszusta...
INFINEON (IRF)
IRF7853PBF
ab € 0,67*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 30A Leistung: 214W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszu...
INFINEON (IRF)
IRFP250MPBF
ab € 0,90*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC (3 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Leistung: 180W Gehäuse: TO247AC Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.6Ω Montage: T...
Vishay
IRFPC50PBF
ab € 1,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,6A; 1,8W; SOT223 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SIPMOS™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2.6A Leistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszus...
Infineon
BSP318SH6327XTSA1
ab € 0,201*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 1,5A; 1W; TO92 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom im Impuls: 1.5A Leistung: 1W Gehäuse: TO92 Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszustand: 4Ω Montag...
MICROCHIP (SUPERTEX)
VN0808L-G
ab € 0,67*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: OptiMOS™ 3 Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 100A Leistung: 214W Gehäuse: PG-TO220-3 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leit...
Infineon
IPP037N08N3GXKSA1
ab € 1,04*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4,4A; 120W; TO3PF (3 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 4.4A Leistung: 120W Gehäuse: TO3PF Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszusta...
ON Semiconductor
FQAF11N90C
ab € 1,76*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB (2 Angebote) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 100V Kollektor-Emitter-Strom: 3A Power dissipation: 40W Gehäuse: TO220AB Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Frequenz: 3MHz Her...
ST Microelectronics
BD241C
ab € 0,198*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; 40V; 1A; 0,8/4W; TO39 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 40V Kollektor-Emitter-Strom: 1A Power dissipation: 0.8/4W Gehäuse: TO39 Transistorverstärkung: 63...160 Montage: THT Verpackun...
CDIL
BC140-10
ab € 0,211*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; 40V; 1A; 0,8/4W; TO39 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 40V Kollektor-Emitter-Strom: 1A Power dissipation: 0.8/4W Gehäuse: TO39 Transistorverstärkung: 100...250 Montage: THT Verpacku...
CDIL
BC140-16
ab € 0,211*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 310mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 500mA Power dissipation: 310mW Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Band; Rolle Frequenz:...
Diodes
BC817-40
ab € 0,0182*
pro Stück
 
 Stück
ON SEMICONDUCTOR TIP3055G TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 60V, TO-247-3 (3 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 5 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: 90 W DC-Kollektorstrom: 15 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Kollektor-Em...
ON Semiconductor
TIP3055G
ab € 0,739*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; 65V; 100mA; 500mW; TO92 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 65V Kollektor-Emitter-Strom: 100mA Power dissipation: 500mW Gehäuse: TO92 Transistorverstärkung: 75...800 Montage: THT Verpack...
CDIL
BC546
ab € 0,00914*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; 75V; 0,5A; 0,8W; TO39 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 75V Kollektor-Emitter-Strom: 0.5A Power dissipation: 0.8W Gehäuse: TO39 Montage: THT Frequenz: 70MHz Hersteller: ST MICROELECT...
ST Microelectronics
2N1711
ab € 1,69*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0,1A; 230mW; SC59; R1:10kΩ (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Transistor-Art: BRT Kollektor-Emitter-Spannung: 50V Kollektor-Emitter-Strom: 0.1A Power dissipation: 230mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: Rol...
ON Semiconductor
MUN2211T1G
ab € 0,01097*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 310mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: PNP Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 800mA Power dissipation: 310mW Gehäuse: SOT23 Transistorverstärkung: 400 Montage: SMD Verpackungs...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
BC807-40
ab € 0,01095*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 350/1W; TO92; 10dB (1 Angebot) 
Transistor-Typ: PNP Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 50V Kollektor-Emitter-Strom: 100mA Power dissipation: 350/1W Gehäuse: TO92 Transistorverstärkung: 100...300 Montage: THT Verpa...
CDIL
BC212A
ab € 0,0209*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: PNP Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 80V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Power dissipation: 20W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Frequenz: 90MHz Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor
MJD45H11G
ab € 0,226*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET/IGBT-Set Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] (2 Angebote) 
Power MOSFET & IGBT Transistoren-Set Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen. Technische Daten: Hersteller: Kemo · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET/IGBT-Set · Typ...
Kemo
S106
ab € 3,95*
pro Paket
 
 Paket
Transistor (BJT) - Arrays Texas Instruments ULN2003AN PDIP-16 7 NPN - Darlington (5 Angebote) 
Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): PDIP-16 · Hersteller: Texas Instruments · Herst...
Texas Instruments
ULN2003AN
ab € 0,29*
pro Stück
 
 Stück
Transistor (BJT) - diskret DIODES Incorporated ZTX751 E-Line 1 PNP (3 Angebote) 
Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Hersteller: DIODES Incorporated · Hersteller-Kürzel (...
Diodes
ZTX751
ab € 0,292*
pro Stück
 
 Stück
Darlington-Transistor TO-202 NPN 50 V (2 Angebote) 
Darlington-Transistor Gehäusetyp: TO-202 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 50 V Transitfrequenz: 75 MHz Verlustleistung: 6.25 W Verstärkung: 10000 ...60000 Verstärkung max.: 60000 Verstärk...
NTE Electronics
NTE265
ab € 6,10*
pro Stück
 
 Stück
HONEYWELL SDP8405-014 TRANSISTOR, PHOTO, NPN, TO-1-2, Transist (1 Angebot) 
MSL: - Produktpalette: - Stromverbrauch: 70 mW Bauform - Transistor: - RoHS-konform bezüglich Phthalate: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Wellenlänge, typ.: - Anzahl ...
Honeywell
SDP8405-014
ab € 0,933*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRF2903ZPBF. Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - RoHS-konform bezüglich Phthalate: To Be Advised Dauer-Drainstrom Id: 75 A Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Betriebstemperat...
Infineon
IRF2903ZPBF.
ab € 1,98*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRG7PH35UDPBF. TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction C (3 Angebote) 
SVHC: To Be Advised MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 kV Verlustleistung Pd: 180 W Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - RoHS-konform bezü...
Infineon
IRG7PH35UDPBF.
ab € 4,94*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRGB4059DPBF. SINGLE IGBT, 600V, Transistor Type:IGBT, (2 Angebote) 
Verlustleistung Pd: 56 W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - DC-Kollektorstrom: 8 A Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 V Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC RoHS-konform bezüglich ...
Infineon
IRGB4059DPBF.
ab € 1,52*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRGB4061DPBF. IGBT, Collector Emitter Saturation Volta (3 Angebote) 
Produktpalette: - Bauform - Transistor: TO-220 RoHS-konform bezüglich Phthalate: To Be Advised SVHC: To Be Advised MSL: - DC-Kollektorstrom: 36 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC Kollektor-Emitter-...
Infineon
IRGB4061DPBF.
ab € 2,16*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRGB4064DPBF. SINGLE IGBT, 600V, 20A, Transistor Type: (1 Angebot) 
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Verlustleistung Pd: 101 W Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC Bauform - Transistor: TO-220 MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 V ...
Infineon
IRGB4064DPBF.
ab € 1,97*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRS2127PBF. IC, MOSFET DRVR, Device Type:IGBT / MOSF (1 Angebot) 
Eingabeverzögerung: 150 ns SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Versorgungsspannung, min.: 10 V MSL: - Produktpalette: - Ausgabeverzögerung: 150 ns Spitzenausgangsstrom: 290 mA Bauform - Treiber: DIP Betrie...
Infineon
IRS2127PBF.
ab € 1,48*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC817-40W-7 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.5A, SC70-3 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 250 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: 200 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 500 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Kollek...
Diodes
BC817-40W-7
ab € 0,0324*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC846A TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT23-3 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 180 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: 300 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 100 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - ...
Diodes
BC846A
ab € 0,0148*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC846B-7-F TRANSISTOR, NPN, SOT23 (5 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 330 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: 300 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - ...
Diodes
BC846B-7-F
ab € 0,0131*
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Transistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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