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  SMD-Transistor  (11.161 Angebote unter 27.651.550 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9,7A; Idm: 20A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 9,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,105Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16W Polaris...
Vishay
SIS990DN-T1-GE3
ab € 0,305*
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ROHM DTB513ZE3TL SMD, PNP Digitaler Transistor / –500 mA, SOT-416 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Gehäusegröße = SOT-416 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
DTB513ZE3TL
ab € 0,17*
pro Stück
 
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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268HV Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 30A Kollektorstrom im Impuls: 118A Anschaltzeit: 59ns Ausschal...
IXYS
IXYT30N65C3H1HV
ab € 7,68*
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 Stück
ROHM DTA123YU3T106 SMD, PNP Digitaler Transistor -50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTA123YU3T106
ab € 0,0275*
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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Anschaltzeit: 140ns Ausschaltz...
IXYS
MMIX1X200N60B3
ab € 30,01*
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ROHM DTB543EE3TL SMD, PNP Digitaler Transistor / –500 mA, SOT-416 (2 Angebote) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Gehäusegröße = SOT-416 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
DTB543EE3TL
ab € 0,0847*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 20A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSSOP8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1W Polarisierung: unipol...
Vishay
SI6926ADQ-T1-GE3
ab € 0,46*
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ROHM DTB543EE3TL SMD, PNP Digitaler Transistor / –500 mA, SOT-416 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Gehäusegröße = SOT-416 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
DTB543EE3TL
ab € 0,17*
pro Stück
 
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Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-DSO-20 Gatestrom: 20mA Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 31A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-JFET Verlustleist...
Infineon
IGOT60R070D1AUMA1
ab € 18,03*
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ROHM DTB523YE3TL SMD, PNP Digitaler Transistor / –500 mA, SOT-416 (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –500 mA Gehäusegröße = SOT-416 Montage-Typ = SMD
ROHM Semiconductor
DTB523YE3TL
ab € 0,17*
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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 72A; 520W; SMPD (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 72A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Anschaltzeit: 140ns Ausschaltze...
IXYS
MMIX1X200N60B3H1
ab € 33,25*
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ROHM DTA143EU3HZGT106 SMD, PNP Digitaler Transistor -50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTA143EU3HZGT106
ab € 0,0306*
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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 30A; Idm: 100A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 16,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIZ322DT-T1-GE3
ab € 0,349*
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ROHM DTC113ZU3HZGT106 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-323 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
DTC113ZU3HZGT106
ab € 0,0307*
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Transistor: N-JFET; unipolar; 0,35W; SuperSOT-3; 10mA (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-3 Gatestrom: 10mA Widerstand im Leitungszustand: 8Ω Transistor-Typ: N-JFET Verlustleistung: 0,35W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rol...
onsemi
MMBFJ108
ab € 0,197*
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