Kategorien
Ȇber MercateoWillkommen! Anmelden
Mein Mercateo
Warenkorb
 
 
 >  >  >  >  > SMD-Transistor

  SMD-Transistor bei Mercateo online kaufen (7.810 Angebote unter 23.756.080 Artikeln)

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „SMD-Transistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis  Wort 
Funktionen
☐
Artikelvergleich
Übersicht

"SMD-Transistor"

Überbegriffe
Anzeige
☐
Galeriedarstellung
☐
☐
☐
Cluster beta
Wir holen für Sie das Beste aus Ihren Anforderungen heraus. Sie sparen.
Markieren Sie alle Artikel, die Ihre Anforderung erfüllen.
Im Warenkorb erhalten Sie daraus das beste Angebot.
Bild
Bestellen
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 500mA; 310mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 500mA Power dissipation: 310mW Gehäuse: SOT23 Montage: SMD Verpackungs-Art: Band; Rolle Frequenz:...
Diodes
BC817-40
ab € 0,0182*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0,1A; 230mW; SC59; R1:10kΩ (1 Angebot) 
Transistor-Typ: NPN Polarisierung: bipolar Transistor-Art: BRT Kollektor-Emitter-Spannung: 50V Kollektor-Emitter-Strom: 0.1A Power dissipation: 230mW Gehäuse: SC59 Montage: SMD Verpackungs-Art: Ban...
ON Semiconductor
MUN2211T1G
ab € 0,01102*
pro Stück
 
 Stück
Transistor MJB42CT4G PNP 100 V 6 A 1 MHz, HFE:15, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 6 A Kollektor-Emitter- = 100 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 65 W Gleichstromverstärkung min. = 15 Transistor-...
ON Semiconductor
MJB42CT4G
ab € 4,44*
pro 5 Stück
 
 Paket
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Leistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12Ω Montage: ...
ON Semiconductor
BSS123L
ab € 0,0249*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,17A; 0,36W; SOT23 (2 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SIPMOS™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 0.17A Leistung: 0.36W Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungsz...
Infineon
BSS169H6327XTSA1
ab € 0,0776*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150mA; 250mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 150mA Leistung: 250mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Montage: S...
NEXPERIA
BSS123.215
ab € 0,0267*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3,4A; 2W; SO8 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 3.4A Leistung: 2W Gehäuse: SO8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 151mΩ Montage: SMD ...
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AO4486
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8,3A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 8.3A Leistung: 2.5W Gehäuse: SO8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszusta...
INFINEON (IRF)
IRF7853PBF
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 17A Leistung: 140W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszusta...
INFINEON (IRF)
IRFR15N20DPBF
ab € 0,64*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9,9A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9.9A Leistung: 2.5W Gehäuse: SO8 Widerstand im Leitungszustand: 14.6mΩ Montage: SMD Verp...
INFINEON (IRF)
IRL6342TRPBF
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,6A; 1,8W; SOT223 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SIPMOS™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 2.6A Leistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszus...
Infineon
BSP318SH6327XTSA1
ab € 0,201*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 310mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: PNP Polarisierung: bipolar Kollektor-Emitter-Spannung: 45V Kollektor-Emitter-Strom: 800mA Power dissipation: 310mW Gehäuse: SOT23 Transistorverstärkung: 400 Montage: SMD Verpackungs...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
BC807-40
ab € 0,01103*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2103SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 150 ns Spitzenausgangsstrom: 360 mA Eingabeverzögerung: 680 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Infineon
IR2103SPBF
ab € 0,639*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR21094SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40...
Infineon
IR21094SPBF
ab € 0,989*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2109SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Infineon
IR2109SPBF
ab € 1,15*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2153SPBF MOSFET/IGBT DRIVER HALF BRIDGE, SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 660 ns Spitzenausgangsstrom: 250 mA Eingabeverzögerung: 80 ns Betriebstemperatur, max.: 125 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ver...
Infineon
IR2153SPBF
ab € 0,558*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IR2302SPBF MOSFET/IGBT TREIBER HALF BRIDGE,SMD (1 Angebot) 
Ausgabeverzögerung: 200 ns Spitzenausgangsstrom: 350 mA Eingabeverzögerung: 750 ns Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Ve...
Infineon
IR2302SPBF
ab € 1,61*
pro Stück
 
 Stück
ON SEMICONDUCTOR MC1413DG DARLINGTON-ARRAY, 7NPN, SMD, 1413 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 1000 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 500 mA Betriebstemperatur, max.: 85 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
ON Semiconductor
MC1413DG
ab € 0,155*
pro Stück
 
 Stück
ON SEMICONDUCTOR MMBF4391 TRANSISTOR, JFET, N, SMD, SOT-323 (3 Angebote) 
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 50 mA Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 150 mA Durchbruchspannung Vbr: 30 V Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform ...
ON Semiconductor
MMBF4391
ab € 0,0635*
pro Stück
 
 Stück
ON SEMICONDUCTOR MMBT2907. TRANSISTOR, PNP, SMD, SOT-23 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 300 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: 350 mW DC-Kollektorstrom: 800 mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Kollek...
ON Semiconductor
MMBT2907.
ab € 0,0375*
pro Stück
 
 Stück
STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR DARLINGTON-ARRAY, SMD (3 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 1000 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) DC-Kollektorstrom: 500 mA Betriebstemperatur, max.: 85 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
ST Microelectronics
ULN2003D1013TR
ab € 0,1081*
pro Stück
 
 Stück
TEXAS INSTRUMENTS DS2003CM DARLINGTON-ARRAY, 7NPN, SMD, 2003 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: - RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: - DC-Kollektorstrom: 500 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 85 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt K...
Texas Instruments
DS2003CM
ab € 0,354*
pro Stück
 
 Stück
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR TRANSISTOR-ARRAY, NPN, SMD (5 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: - RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) DC-Kollektorstrom: 500 mA Betriebstemperatur, max.: 70 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt K...
Texas Instruments
ULN2003ADR
ab € 0,208*
pro Stück
 
 Stück
THAT CORPORATION THAT300S14-U TRANSISTOR-ARRAY, SMD, SO-14, 300 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 100 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: - DC-Kollektorstrom: 20 mA SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) Betriebstemperatur, max.: 70 ᄚC MSL: MSL 1...
THAT
THAT300S14-U
ab € 5,76*
pro Stück
 
 Stück
THAT CORPORATION THAT320S14-U TRANSISTOR-ARRAY, SMD, SO-14, 320 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 75 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: - DC-Kollektorstrom: -20 mA SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) Betriebstemperatur, max.: 70 ᄚC MSL: MSL 1...
THAT
THAT320S14-U
ab € 4,77*
pro Stück
 
 Stück
THAT CORPORATION THAT340S14-U TRANSISTOR-ARRAY, SMD, SO-14, 340 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 100 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) DC-Kollektorstrom: 20 mA Betriebstemperatur, max.: 70 ᄚC MSL: MSL 1...
THAT
THAT340S14-U
ab € 4,26*
pro Stück
 
 Stück
Driver; bootstrap; Torsteuerung IGBT, MOSFET Torsteuerung; 600mW (1 Angebot) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: bootstrap Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung; Torsteuerung IGBT Leistung: 600mW Anzahl Kanäle: 6 Mont...
Infineon
6EDL04N02PR
ab € 1,45*
pro Stück
 
 Stück
Driver; galvanische Trennung; high-side, Torsteuerung IGBT (1 Angebot) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT; high-side Ausgangsstrom: -2...2A Leistung: 100...
Infineon
1ED020I12F2XUMA1
ab € 2,71*
pro Stück
 
 Stück
ROHM EMF5T2R TRANSISTOR PNP + DIGITAL, SMD (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: - RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) DC-Kollektorstrom: - Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegr...
Rohm Semiconductor
EMF5T2R
ab € 0,0546*
pro Stück
 
 Stück
ROHM MMSTA06T146 TRANSISTOR, SMD, SC-59, NPN (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 100 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: 200 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL...
Rohm Semiconductor
MMSTA06T146
ab € 0,0488*
pro Stück
 
 Stück
Infineon Technologies Transistor - Spezialanwendung BCV61BE6327HTSA1 TO-253-4 2 NPN (2 Angebote) 
SMD-Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V ...
Infineon
BCV61BE6327HTSA1
ab € 0,25*
pro Stück
 
 Stück
Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCX17 SOT-23 1 PNP (2 Angebote) 
SMD-Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 ...
Nexperia
BCX17
ab € 0,0769*
pro Stück
 
 Stück
IGBT IXGT30N120B3D1, 1200 V 50 A, TO-268 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gehäusegröße = TO-268 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Länge = 16.05mm Breite = 14mm Höhe = 5.1mm Abme...
IXYS
IXGT30N120B3D1
ab € 4,78*
pro Stück
 
 Stück
Driver; galvanische Trennung; high-side, Torsteuerung IGBT (1 Angebot) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT; high-side Ausgangsstrom: -0.5...0.5A Leistung:...
Infineon
1EDC05I12AHXUMA1
ab € 1,19*
pro Stück
 
 Stück
Driver; galvanische Trennung; high-side, Torsteuerung IGBT (1 Angebot) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung Integrierten Schaltkreises-Art: high-side; Torsteuerung IGBT Ausgangsstrom: -2...2A Leistung: 400...
Infineon
1EDC20H12AHXUMA1
ab € 1,52*
pro Stück
 
 Stück
ROHM MMSTA28T146 TRANSISTOR, SMD, SC-59, NPN (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 10000 hFE RoHS-konform bezüglich Phthalate: Keine Angabe Verlustleistung Pd: 200 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC M...
Rohm Semiconductor
MMSTA28T146
ab € 0,0558*
pro Stück
 
 Stück
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BSR15 SOT-23-3 1 PNP (1 Angebot) 
SMD-Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10...
ON Semiconductor
BSR15
ab € 0,096*
pro Stück
 
 Stück
Transistor (BJT) - diskret BSR19A SOT-23 1 NPN (1 Angebot) 
SMD-Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 300 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V ·...
k.A.
BSR19A
ab € 0,24*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT 4425172, 600 V 22 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 22 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = ...
Infineon
IRG4RC20FPBF
ab € 1,21*
pro Stück
 
 Stück
Driver; galvanische Trennung; high-side, Torsteuerung IGBT (1 Angebot) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung Integrierten Schaltkreises-Art: high-side; Torsteuerung IGBT Ausgangsstrom: -2...2A Leistung: 400...
Infineon
1EDC20I12AHXUMA1
ab € 1,52*
pro Stück
 
 Stück
Driver; galvanische Trennung; high-side, Torsteuerung IGBT (1 Angebot) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT; high-side Ausgangsstrom: -4...4A Leistung: 400...
Infineon
1EDC40I12AHXUMA1
ab € 1,64*
pro Stück
 
 Stück
Driver; galvanische Trennung; high-side, Torsteuerung IGBT (1 Angebot) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT; high-side Ausgangsstrom: -6...6A Leistung: 400...
Infineon
1EDC60H12AHXUMA1
ab € 1,66*
pro Stück
 
 Stück
Driver; galvanische Trennung; high-side, Torsteuerung IGBT (1 Angebot) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: galvanische Trennung Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT; high-side Ausgangsstrom: -6...6A Leistung: 400...
Infineon
1EDC60I12AHXUMA1
ab € 1,66*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT AUIRG4BC30S-S, 600 V 34 A 1kHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 100 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
AUIRG4BC30S-S
ab € 1,89*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT AUIRGR4045D, 600 V 12 A 30kHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 12 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 77 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3...
Infineon
AUIRGR4045D
ab € 1,28*
pro Stück
 
 Stück
Driver; high-side, Torsteuerung IGBT; -2÷1A; 1,4W; Kanäle:2 (2 Angebote) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: eingebauter Komparator; eingebauter Operationsverstärker; bootstrap Integrierten Schaltkreises-Art: Torsteuerung IGBT;...
Infineon
2ED020I12-FI
ab € 1,81*
pro Stück
 
 Stück
Driver; Ladungspumpe; Torsteuerung IGBT, MOSFET Torsteuerung (2 Angebote) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eigenschafte integrierter Schaltkreise: Ladungspumpe Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung; Torsteuerung IGBT Ausgangsstrom: -5...5A Anzahl Kanä...
Infineon
2EDN7524FXTMA1
ab € 0,687*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal IGBT FGB20N60SFD, 600 V 20 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 208 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ON Semiconductor
FGB20N60SFD
ab € 5,43*
pro 2 Stück
 
 Paket
N-Kanal IGBT FGB40N60SM, 600 V 80 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 349 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ON Semiconductor
FGB40N60SM
ab € 3,13*
pro 2 Stück
 
 Paket
Driver; Torsteuerung IGBT, MOSFET Torsteuerung; 1,5A; SO14 (2 Angebote) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Integrierten Schaltkreises-Art: MOSFET Torsteuerung; Torsteuerung IGBT Ausgangsstrom: 1.5A Montage: SMD Gehäuse: SO14 Hersteller: ST MICROELECTRONICS
ST Microelectronics
TD350E
ab € 0,824*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   157   vorwärts

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.