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  SMD-Transistor bei Mercateo online kaufen (7.797 Angebote unter 23.878.912 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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IGBT-Gate-Ansteuerungsmodul NCV5700DR2G, 1-Kanal 6.8 A, 7.8 A Halbbrücke SO 16-Pin (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 1 Arbeitsspannnung min. = 0 V Arbeitsspannnung max. = 30 V Topologie = Low / High Side Montage-Typ = SMD Spitzen-Ausgangsstrom = 6.8 A, 7.8 A Anzahl der Ausgänge = 1 Polarität ...
ON Semiconductor
NCV5700DR2G
ab € 2.925,00*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
Transistor FMMT415TD NPN 100 V 500 mA 40 MHz, HFE:25, SOT-23 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter- = 100 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 330 mW Gleichstromverstärkung min. = 25 Transistor-Kon...
Diodes
FMMT415TD
ab € 2.801,50*
pro 500 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET Transistor IPB072N15N3GATMA1, 150 V, 100 A, 7,7 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 300 W, Serie OptiMOS 3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 7,7 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source ...
Infineon
IPB072N15N3GATMA1
€ 2.702,46*
pro 1.000 Stück
 
 Paket
N-Kanal IGBT STGD18N40LZT4, 420 V 30 A 1MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter- = 420 V Gate-Source Spannung max. = 16V Verlustleistung max. = 125 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3...
ST Microelectronics
STGD18N40LZT4
€ 2.311,675*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal IGBT STGD20N40LZ, 425 V 25 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter- = 425 V Gate-Source Spannung max. = 16V Verlustleistung max. = 125 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3...
ST Microelectronics
STGD20N40LZ
€ 2.029,775*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
Transistor MMPQ6700 NPN + PNP 40 V 200 mA 200 MHz, HFE:70 Quad, SOIC 16-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN + PNP DC Kollektorstrom max. = 200 mA Kollektor-Emitter- = 40 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1 W Gleichstromverstärkung min. = 70 Transistor-Kon...
ON Semiconductor
MMPQ6700
€ 2.025,00*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal IGBT STGD19N40LZ, 425 V 25 A 1MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter- = 425 V Gate-Source Spannung max. = ±16V Verlustleistung max. = 125 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ST Microelectronics
STGD19N40LZ
€ 1.983,425*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
Transistor, Fairchild, MMPQ2222A (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 500 mA Kollektor-Emitter- = 40 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1 W Gleichstromverstärkung min. = 100 Transistor-Konfigur...
ON Semiconductor
MMPQ2222A
€ 1.959,20*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal IGBT STGD5NB120SZT4, 1200 V 10 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 75 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ST Microelectronics
STGD5NB120SZT4
€ 1.911,825*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
Bipolarer Transistor ZXT849KTC NPN 80 V 7 A 100 MHz, HFE:100, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 7 A Kollektor-Emitter- = 80 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 4,2 W Gleichstromverstärkung min. = 100 Transistor-...
Diodes
ZXT849KTC
€ 1.900,00*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal IGBT ISL9V3040D3ST, 300 V 21 A 1MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter- = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ON Semiconductor
ISL9V3040D3ST
€ 1.875,00*
pro 2.500 Stück
 
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N-Kanal IGBT FGB20N60SFD, 600 V 20 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 208 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ON Semiconductor
FGB20N60SFD
€ 1.832,00*
pro 800 Stück
 
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Transistor MMPQ3906 PNP 40 V 200 mA 200 MHz, HFE:75 Quad, SOIC 16-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 200 mA Kollektor-Emitter- = 40 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1 W Gleichstromverstärkung min. = 75 Transistor-Konfigura...
ON Semiconductor
MMPQ3906
€ 1.831,925*
pro 2.500 Stück
 
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N-Kanal IGBT FGB40N60SM, 600 V 80 A, D2PAK (TO-263) 3-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 349 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ON Semiconductor
FGB40N60SM
€ 1.800,00*
pro 800 Stück
 
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FS200R12KT4RBOSA1 N-Kanal IGBT-Transistormodul, 1200 V / 280 A, EconoPACK 3 35-Pin (1 Angebot) 
Konfiguration = Dreiphasenbrücke Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = EconoPACK 3 Pinanzah...
Infineon
FS200R12KT4RBOSA1
€ 1.774,17*
pro 10 Stück
 
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