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  smd-transistor 300v  (30 gefilterte Angebote unter 27.617.268 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA42-AQ SOT-23 NPN (2 Angebote) 
Diotec Transistor (BJT) - diskret MMBTA42-AQ SOT-23 NPN BJT, SOT-23, 300V, 500mA, NPN Technische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20...
Diotec
MMBTA42-AQ
ab € 0,0405*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 102A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 570W ...
IXYS
MMIX1F160N30T
ab € 33,68*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 73mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W ...
IXYS
IXTT52N30P
ab € 4,42*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W ...
IXYS
MMIX1F210N30P3
ab € 35,45*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W...
IXYS
IXTA36N30P
ab € 2,31*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 69A; 500W; TO268 (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Montage...
IXYS
IXTT69N30P
ab € 6,42*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 0,2A Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,47W Polarisier...
Diodes
DMN30H4D0L-7
ab € 0,152*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 125ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 347W...
IXYS
IXFA36N30P3
ab € 2,57*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0,2A; 740mW; SOT89-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT89-3 Drain-Source Spannung: 300V Widerstand im Leitungszustand: 12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,74W Polarisierung: unipolar...
Microchip Technology
DN2530N8-G
ab € 0,65*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 54A; 403W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 54A Widerstand im Leitungszustand: 61mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 403W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M61SFLLG
ab € 19,34*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,129Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisierung: unipol...
onsemi
FDB28N30TM
ab € 0,96*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 830W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W Polarisierung: unipolar V...
IXYS
IXFT70N30Q3
ab € 13,98*
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 Stück
Infineon IPB407N30N Transistor 300 V (2 Angebote)
Infineon
IPB407N30NATMA1
ab € 3,94*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 88A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W Polarisierung: unipolar V...
IXYS
IXFT88N30P
ab € 8,92*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 54A; Idm: 216A; 403W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 54A Widerstand im Leitungszustand: 61mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 403W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M61SLLG
ab € 14,71*
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