Schalttransistor  (24.341 Angebote unter 27.720.587 Artikeln)Zum Expertenwissen

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±30V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,94V Kollektor-Emitter-Strom: 60A...

Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1,8 kW Konfiguration = Dual Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 7

Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 ohm Produktpalette: - Dauer-Drainstrom Id: 76 A Betriebstemperatur, max.: 150 °C Drain-Source-Spannung Vds: 650 ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 185 W Gehäusegröße = PG-TO247-3

Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 21A Kollektorstrom im Impuls: 265A Anschaltzeit: 33ns Ausschalt...

Produktpalette: BC52 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V ...

Quellstrom: 1.9 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Sinkstrom: 2.3 A T...

Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 100 W Konfiguration = Single

Produktpalette: BC56 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V ...

Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 42A Kollektorstrom im Impuls: 300A Anschaltzeit: 224ns Aussch...

Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konf...

Quellstrom: 1.9 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 2.3 A Treibe...

Produktpalette: BC68 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 170 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 V ...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 42A Transistor-Typ: IGBT Verlustleistung: 125...

Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...