Kategorien
Deutschland
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.521 Angebote unter 27.690.957 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „MOSFET“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"MOSFET"

Überbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Vishay SiR586DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 78,4 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 78,4 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Vishay
SiR586DP-T1-RE3
ab € 0,88*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 74W Polarisierung: unip...
Vishay
IRL630SPBF
ab € 0,63*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SQA444CEJW-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9 A, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70W-6L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQA444CEJW-T1_GE3
ab € 0,29*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SISA10BDN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 104 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 104 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8PT Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SISA10BDN-T1-GE3
ab € 0,58*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SQJ182EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 210 A, 8-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 210 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQJ182EP-T1_GE3
ab € 1,14*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2,7A; Idm: 18A; 40W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDD6N20TM
ab € 0,31*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SQA410CEJW-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,8 A, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,8 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70W-6L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQA410CEJW-T1_GE3
ab € 0,26*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DFNW8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 156W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FDMT800150DC
ab € 4,85*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SQJA26EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 410 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 410 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQJA26EP-T1_GE3
ab € 1,28*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SQA446CEJW-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 9 A, 7-Pin PowerPAK SC-70W-6L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = PowerPAK SC-70W-6L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQA446CEJW-T1_GE3
ab € 0,38*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 80A; 48W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 48W Polarisie...
ROHM Semiconductor
RCX200N20
ab € 0,74*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SQJQ112E-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 296 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 296 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8 L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQJQ112E-T1_GE3
ab € 2,62*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 67A; 111W; TO262 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO262 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 67A Widerstand im Leitungszustand: 10,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 111W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOW2502
ab € 1,55*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SQJ140ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 266 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 266 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQJ140ELP-T1_GE3
ab € 0,88*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SQJ160EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 362 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 362 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerPAK SO-8L Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Vishay
SQJ160EP-T1_GE3
ab € 1,37*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   1551   1552   1553   1554   1555   1556   1557   1558   1559   1560   1561   ..   1702   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema MOSFET
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.