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  MOSFET  (25.517 Angebote unter 27.641.678 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0,8A; 150mW (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOT563 Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0,2A Widerstand im Leitungszustand: 7,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,15W Polari...
ROHM Semiconductor
EM6K33T2R
ab € 0,535*
pro 5 Stück
 
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W (1 Angebot) 
Hersteller: PanJit Semiconductor Montage: SMD Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 15,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Anwendung: Automobilbranche Verlustleistun...
PanJit Semiconductor
PJQ5948-AU_R2_002A1
ab € 0,35*
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 Stück
Infineon IAUC120N06S5L032ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A PG-TDSON (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PG-TDSON Montage-Typ = SMD
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1
ab € 0,72*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1,2A; 236mW (1 Angebot) 
Hersteller: PanJit Semiconductor Montage: SMD Gehäuse: SOT363 Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0,36A Widerstand im Leitungszustand: 4,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Anwendung: Automobilbranch...
PanJit Semiconductor
PJT138K-AU_R1_000A1
ab € 0,275*
pro 5 Stück
 
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Infineon IAUC120N06S5N017ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A PG-TDSON (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PG-TDSON Montage-Typ = SMD
Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1
ab € 1,68*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 45V; 24A; Idm: 160A; 31W; QFN5x6 (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: QFN5x6 Drain-Source Spannung: 45V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Anwendung: Automobilbranche ...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI038N04PQ2-AQ
ab € 0,31*
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 Stück
Infineon IAUC100N08S5N031 Transistor 80 V (2 Angebote)
Infineon
IAUC100N08S5N031ATMA1
ab € 1,02*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5,4A; Idm: 20A; 1,7W; SOP8 (1 Angebot) 
Hersteller: PanJit Semiconductor Montage: SMD Gehäuse: SOP8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 5,4A Widerstand im Leitungszustand: 44mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 1,7W Polaris...
PanJit Semiconductor
PJL9850_R2_00001
ab € 0,149*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; 660ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Bereitschaftszeit: 660ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Tran...
IXYS
MKE38P600LB
ab € 29,46*
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 Stück
Infineon IAUC41N06S5N102ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 47 A, 8-Pin TDSON (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 47 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TDSON Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1
ab € 0,59*
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 Stück
Infineon IAUC41N06S5L100ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 41 A PG-TDSON (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 41 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PG-TDSON Montage-Typ = SMD
Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1
ab € 0,60*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0,8A; 150mW (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: UMT6 Drain-Source Spannung: 50V Drainstrom: 0,2A Widerstand im Leitungszustand: 7,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,15W Polarisi...
ROHM Semiconductor
UM6K33NTN
ab € 0,38*
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Infineon IAUC45N04S6N070HATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 45 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Infineon
IAUC45N04S6N070HATMA1
ab € 0,92*
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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7A; Idm: 18A; 2,6W; TSMT8 (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TSMT8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2,6W Polarisier...
ROHM Semiconductor
QH8K26TR
ab € 0,28*
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 Stück
Infineon IAUC45N04S6L063HATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 45 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 45 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Infineon
IAUC45N04S6L063HATMA1
ab € 0,92*
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