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"MOSFET"

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INFINEON IRLU024NPBF MOSFET, N-KANAL, 55V, 17A, I-PAK (3 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 55V, 17A, I-PAK RoHS konform: Y-EX Spannung, Ugs th(V) typ.: 2 V Leistungsverlust Pd: 46 W Dauerstrom, Id: 17 A max. Betriebstemperatur: 175 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins...
Infineon
IRLU024NPBF
ab € 0,266*
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 Stück
STMICROELECTRONICS TD310ID MOSFET/IGBT TREIBER, SOIC16, 310 (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET/IGBT TREIBER, SOIC16, 310 RoHS konform: Ja Ausgangsverzögerung: 200 ns Ausgangsspitzenstrom: 600 mA Eingangsverzögerung: - max. Betriebstemperatur: 85 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenz...
ST Microelectronics
TD310ID
ab € 1,21*
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 Stück
IC: power switch; high-side; 0,2÷2,5A; Kanäle:1; MOSFET; SMD (1 Angebot) 
Integrierten Schaltkreises-Typ: power switch Integrierten Schaltkreises-Art: high-side Ausgangsstrom: 0.2...2.5A Anzahl Kanäle: 1 Ausgangs-Art: MOSFET Montage: SMD Gehäuse: SOT23-6 Widerstand im Le...
Microchip Technology
MIC2039BYM6-TR
ab € 0,44*
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 Stück
Mosfet-Treiber MCP1416T-E/OT, 1-Kanal 1.5A SOT-23 5-Pin, 4,5 ? 18 V (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 1 Arbeitsspannnung min. = 4.5 V Arbeitsspannnung max. = 18 V Topologie = Low-Side Montage-Typ = SMD Spitzen-Ausgangsstrom = 1.5A Anzahl der Ausgänge = 1 Polarität = Non-Inverti...
Microchip Technology
MCP1416T-E/OT
ab € 2,70*
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N-Kanal MOSFET RFP70N06, 60 V 70 A, TO-220AB 3-Pin (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 14 m? Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
RFP70N06
ab € 1,28*
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RS Pro Halbleiterrelais DIN-Schienen, 11 ? 30 V Spule, 1-poliger Schließer, MOSFET-Ausgang / 0,5 A (1 Angebot) 
Laststrom min. = 1 mA Laststrom max. = 0,5 A Montage Typ = DIN-Schienen Lastspannung min. = 10 V Lastspannung max. = 60 V Steuerspannung min. = 11 V Steuerspannung max. = 30 V Schalttyp = DC Kontak...
RS Pro
763220.011
ab € 52,07*
pro 5 Stück
 
 Paket
RS Pro Halbleiterrelais DIN-Schienen, 11 ? 30 V Spule, 1-poliger Schließer, MOSFET-Ausgang / 0,5 A (1 Angebot) 
Laststrom min. = 1 mA Laststrom max. = 0,5 A Montage Typ = DIN-Schienen Lastspannung min. = 10 V Lastspannung max. = 60 V Steuerspannung min. = 11 V Steuerspannung max. = 30 V Schalttyp = DC Kontak...
RS Pro
764020.011
ab € 75,87*
pro 5 Stück
 
 Paket
MOSFET N, 500 V 22 A 278 W TO-3P (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: TO-3P, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 278 W
NTE Electronics
NTE2970
ab € 15,93*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET N, 500 V 4 A 75 W TO-220 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Verlustleistung: 75 W
k.A.
BUZ42
ab € 2,63*
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 Stück
MOSFET N, 60 V 35 A 125 W TO-220 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 125 W
NTE Electronics
NTE2389
ab € 7,06*
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 Stück
MOSFET N, 60 V 50 A 150 W TO-220 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 150 W
NTE Electronics
NTE2395
ab € 4,52*
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 Stück
MOSFET P, 50 V 0.13 A 0.2 W SOT-23 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.2 W
Diodes
BSS84-7-F
ab € 0,0183*
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INFINEON AUIRF1324WL. N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 24V, 240A, TO-2 (1 Angebot) 
Beschreibung: N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 24V, 240A, TO-2 RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: AUIRF1324WL.
Infineon
AUIRF1324WL.
ab € 2,41*
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INFINEON IRF2903ZPBF. Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel (1 Angebot) 
Beschreibung: Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRF2903ZPBF.
Infineon
IRF2903ZPBF.
ab € 1,97*
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INFINEON IRF9333PBF. P Channel, MOSFET, -30V, -9.2A, SOIC, Tr (3 Angebote) 
Beschreibung: P Channel, MOSFET, -30V, -9.2A, SOIC, Tr RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRF9333PBF.
Infineon
IRF9333PBF.
ab € 0,426*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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