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"MOSFET"

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Sensata / Crydom D06D100 Halbleiterrelais, Oberflächenmontage, 3,5 → 32 V dc Spule, MOSFET-Ausgang, 5 mA (2 Angebote) 
Laststrom min. = 5 mA Laststrom max. = 100 A Montage Typ = Oberflächenmontage Lastspannung max. = 60 V Steuerspannung min. = 3.5 V dc Steuerspannung max. = 32V Ausgangsschaltung = MOSFET Abmessunge...
Sensata / Crydom
D06D100
ab € 109,25*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 41A; 200W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: Infineon (IRF) Gehäuse: TO220FP Montage: THT Polarisierung: unipolar Technologie: HEXFET® Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 41A Gate...
INFINEON (IRF)
IRFIB41N15DPBF
ab € 1,15*
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 Stück
ON SEMICONDUCTOR FQP7P06 MOSFET, P-KANAL, TO-220 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: -4 V Verlustleistung Pd: 45 W Dauer-Drainstrom Id: 7 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: TO-220 SVHC: Lead (27-Jun-2018)...
ON Semiconductor
FQP7P06
ab € 0,363*
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 Stück
P-Kanal MOSFET FDN304P, 20 V, 2,4 A, 52 mΩ, SOT-23 3-Pin, 500 mW, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2,4 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDN304P
ab € 0,168*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 0,86A; 54W; TO220AB (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Gehäuse: TO220AB Montage: THT Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 1000V Drainstrom: 0.86A Gate-Source Spannung: ±20V Wid...
Vishay
IRFBG20PBF
ab € 0,497*
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 Stück
ON SEMICONDUCTOR NTD2955-1G MOSFET, P-KANAL, -60V, -12A, TO-251-3 (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: -2.8 V Verlustleistung Pd: 55 W Dauer-Drainstrom Id: -12 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVH...
ON Semiconductor
NTD2955-1G
ab € 0,276*
pro Stück
 
 Stück
P-Kanal MOSFET FQP7P06, 60 V, 7 A, 410 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 45 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 410 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQP7P06
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: Infineon (IRF) Gehäuse: TO220AB Montage: THT Polarisierung: unipolar Technologie: HEXFET® Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 18A Gate...
INFINEON (IRF)
IRF640NPBF
ab € 0,41*
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 Stück
N-Kanal MOSFET IRFI4020H-117P Dual, 200 V, 9,1 A, 100 MΩ, TO-220 5-Pin, 21 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9.1 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4.9V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Sourc...
Infineon
IRFI4020H-117P
ab € 2,09*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: Infineon (IRF) Gehäuse: TO220AB Montage: THT Polarisierung: unipolar Technologie: HEXFET® Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level Verpackungs-Art: Tube Transistor-Typ: N-MOSF...
INFINEON (IRF)
IRLZ44NPBF
ab € 0,43*
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P-Kanal MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 60 V, 8,8 A, 300 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source...
Infineon
SPD08P06PGBTMA1
ab € 0,37*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,115A; 0,225W; SOT323 (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Polarisierung: unipolar Montage: SMD Gehäuse: SOT323 Verpackungs-Art: Rolle; Band Kanal-Art: stark Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.1...
LUGUANG ELECTRONIC
2N7002W
ab € 0,0185*
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 Stück
P-Kanal MOSFET IRFR5305PBF, 55 V, 31 A, 65 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 110 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spa...
Infineon
IRFR5305PBF
ab € 0,60*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 150W; TO3PN (3 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Gehäuse: TO3PN Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate Polarisierung: unipolar Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannun...
Toshiba
2SK3878(F)
ab € 1,18*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,6A; 1,1W; SOT89 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Polarisierung: unipolar Gehäuse: SOT89 Montage: SMD Kanal-Art: schwach Verpackungs-Art: Rolle; Band Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0.6A Gate-Source...
IXYS
CPC3701CTR
ab € 0,353*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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