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  MOSFET-Transistor  (25.675 Angebote unter 26.947.428 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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Infineon IPT059N15N3ATMA1 N-Kanal MOSFET Transistor / 155 A PG-HSOF-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 155 A Gehäusegröße = PG-HSOF-8
Infineon
IPT059N15N3ATMA1
ab € 6,57*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPP60R065S7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 8 A TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT
Infineon
IPP60R065S7XKSA1
ab € 1.844,18*
pro 500 Stück
 
 Packung
Infineon IPTC014N10NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 365 A, 16-Pin PG-HDSOP-16 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 365 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-HDSOP-16 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 16 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPTC014N10NM5ATMA1
ab € 6.581,16*
pro 1.800 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 650V Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band;Rolle Technologie: SJMOS™ C4 Kanal-Art: stark
WAYON
WMF10N65C4
ab € 0,40*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPP030N06NF2SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 119 A PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 119 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PG-TO220-3 Montage-Typ = THT
Infineon
IPP030N06NF2SAKMA1
ab € 1,05*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPTC011N08NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 408 A, 16-Pin PG-HDSOP-16 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 408 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-HDSOP-16 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 16 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPTC011N08NM5ATMA1
ab € 5,40*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 3,3kV Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 0,105Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 381W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA330B4
ab € 109,62*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPP034N08N5AKSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 120 A PG-TDSON (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TDSON Montage-Typ = SMD
Infineon
IPP034N08N5AKSA1
ab € 1,69*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPTC039N15NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 190 A, 16-Pin D²PAK (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 190 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = D²PAK Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 16
Infineon
IPTC039N15NM5ATMA1
ab € 5,58*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPTC063N15NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 122 A, 16-Pin PG-HDSOP-16 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 122 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PG-HDSOP-16 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 16 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPTC063N15NM5ATMA1
ab € 4.999,50*
pro 1.800 Stück
 
 Packung
Infineon IPP040N06NF2SAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 109 A PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 109 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PG-TO220-3 Montage-Typ = THT
Infineon
IPP040N06NF2SAKMA1
ab € 0,86*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 120A; Idm: 480A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 2,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 237W Polarisi...
ST Microelectronics
STP220N6F7
ab € 2,18*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPTC054N15NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 143 A, 16-Pin PG-HDSOP-16 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 143 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = PG-HDSOP-16 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 16 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1
ab € 4,44*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W (1 Angebot) 
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 208W Polarisie...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M60065Q
ab € 7,80*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPTG039N15NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 190 A, 8-Pin TOLG (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 190 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = TOLG Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Infineon
IPTG039N15NM5ATMA1
ab € 7.017,48*
pro 1.800 Stück
 
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