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  MOSFET-Transistor  (25.515 Angebote unter 27.720.605 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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ROHM R6070JNZ4C13 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 70 A, 3-Pin To-247G. (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = To-247G. Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,058 Ω Channel-Modus = Enhanc...
ROHM Semiconductor
R6070JNZ4C13
ab € 9,72*
pro Stück
 
 Stück
Renesas Electronics 2SK1835-E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 4 A, 3-Pin TO-3PN (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 1500 V Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 4,6 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
Renesas Electronics
2SK1835-E
ab € 193,2402*
pro 30 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 0,325Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 76W Pol...
Infineon
IPD60R170CFD7
ab € 2,35*
pro Stück
 
 Stück
Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 200 mA 4.5 → 16V 8-Pin SOIC 15ns (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS Ausgangsstrom = 200 mA Versorgungsspannung = 4.5 → 16V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = SOIC
Renesas Electronics
EL7104CSZ
ab € 508,81059*
pro 97 Stück
 
 Packung
Vishay Siliconix TrenchFET SQ2364EES-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A 3 W, 3-Pin SOT-23 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ Channel-Modus = Enhancement...
Vishay
SQ2364EES-T1_GE3
ab € 0,22*
pro Stück
 
 Stück
ROHM R6077VNZC17 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-3PF (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-3PF Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
ROHM Semiconductor
R6077VNZC17
ab € 7,01*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 0,385Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Pol...
Infineon
IPP60R385CPXKSA1
ab € 1,86*
pro Stück
 
 Stück
Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,5 A 15V 20-Pin PDIP (1 Angebot) 
Ausgangsstrom = 2,5 A Versorgungsspannung = 15V Pinanzahl = 20 Gehäusegröße = PDIP Topologie = Isolierter Gattertreiber Anzahl der Treiber = 4
Renesas Electronics
HIP4081AIPZ
ab € 4,61*
pro Stück
 
 Stück
Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS 4 A 15V 8-Pin SOIC (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS Ausgangsstrom = 4 A Versorgungsspannung = 15V Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = SOIC Anzahl der Ausgänge = 2 Topologie = Low-Side Anzahl der Treiber = 2 Polarität = Inverting, Non-Inver...
Renesas Electronics
EL7222CSZ
ab € 144,76086*
pro 97 Stück
 
 Packung
ROHM R6504KND3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,05 Ω Channel-Modus = Enh...
ROHM Semiconductor
R6504KND3TL1
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-VSON-4 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 0,346Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Pola...
Infineon
IPL60R185CFD7
ab € 2,53*
pro Stück
 
 Stück
Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung 3,5 A 5.5V 16-Pin QFN (1 Angebot) 
Ausgangsstrom = 3,5 A Versorgungsspannung = 5.5V Pinanzahl = 16 Gehäusegröße = QFN Renesas Electronics ist ein zweifacher Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Treiber. Er ist kompatibel mit 3,3-V- und 5-V-L...
Renesas Electronics
ISL55111IRZ
ab € 2,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,21A; 0,37W; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,21A Widerstand im Leitungszustand: 7,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,37W Polarisi...
Diodes
2N7002H-7
ab € 0,536*
pro 20 Stück
 
 Packung
Renesas Electronics MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, TTL 2,5 A 15V 20-Pin SOIC W (1 Angebot) 
Logik-Typ = CMOS, TTL Ausgangsstrom = 2,5 A Versorgungsspannung = 15V Pinanzahl = 20 Gehäusegröße = SOIC W Anzahl der Ausgänge = 4 Topologie = Vollbrücke Ein-/Ausgangsabhängigkeit = Independent Anz...
Renesas Electronics
HIP4081AIBZ
ab € 191,08034*
pro 38 Stück
 
 Packung
ROHM R6507KND3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,665 Ω Channel-Modus = En...
ROHM Semiconductor
R6507KND3TL1
ab € 0,78*
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