mosfet infineon günstig kaufen bei Mercateo (Seite 149/373)

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Infineon OptiMOS T2 IPD50N04S408ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7,9 mΩ Channel-Modus = Enh...

Infineon

IPD50N04S408ATMA1

ab € 885,525*
pro 2.500 Stück

Infineon BSZ086P03NS3E G Transistor 30 V (2 Angebote)

Infineon

BSZ086P03NS3EGATMA1

ab € 0,353*
pro Stück

Infineon IPD35N10S3L-26 Transistor 100 V (2 Angebote)

Infineon

IPD35N10S3L26ATMA1

ab € 0,64*
pro Stück

Infineon IPT004N03L Transistor 30 V (3 Angebote)

Infineon

IPT004N03LATMA1

ab € 2,00*
pro Stück

Infineon IPD50N10S3L-16 Transistor 100 V (2 Angebote)

Infineon

IPD50N10S3L16ATMA1

ab € 0,854*
pro Stück

Infineon OptiMOS FD IPP220N25NFDAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 61 A 300 W, 3-Pin TO-220 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 61 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...

Infineon

IPP220N25NFDAKSA1

ab € 9,11*
pro 2 Stück

Infineon Si4435DYPbF SI4435DYTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SO-8 (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SO-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 35 mΩ Channel-Modus = Enhancement Ga...

Infineon

SI4435DYTRPBF

ab € 6,26*
pro 10 Stück

Infineon OptiMOS P IPB120P04P4L03ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 120 A 136 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 5,2 mΩ Channel-Modus = E...

Infineon

IPB120P04P4L03ATMA1

ab € 1.956,42*
pro 1.000 Stück

Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK) (1 Angebot)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal ...

Infineon

IPD042P03L3GATMA1

ab € 0,742*
pro Stück

Infineon IPD70N10S3L-12 Transistor 100 V (1 Angebot)

Infineon

IPD70N10S3L12ATMA1

ab € 0,978*
pro Stück

Infineon IPB107N20N3 G Transistor 25 V (1 Angebot)

Infineon

IPB107N20N3GATMA1

ab € 4.388,25*
pro 1.000 Stück

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0063 ohm, TDSON, Oberflächenmontage (2 Angebote)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...

Infineon

BSC070N10NS3GATMA1

ab € 0,733*
pro Stück

Infineon OptiMOS P IPB80P04P407ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 80 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7,7 mΩ Channel-Modus = En...

Infineon

IPB80P04P407ATMA1

ab € 991,88*
pro 1.000 Stück

Infineon BSO201SP H Transistor 100 V (1 Angebot)

Infineon

BSO201SPHXUMA1

ab € 0,68*
pro Stück

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage (3 Angebote)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09 ohm Produktpalette: HEXFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kan...

Infineon

IRF7451TRPBF

ab € 0,41*
pro Stück

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