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"Leistungstransistor"

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Leistungstransistor SO-20 24 A (4 Angebote) 
Leistungstransistor Betriebstemperatur: -40...+150 °C Gehäusetyp: SO-20 Polarität: N Betriebsspannung: 5...34 V Strombegrenzung: 24 A
Infineon
BTS740S2
ab € 2,01*
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 Stück
Leistungstransistor TO-126 (2 Angebote) 
Leistungstransistor Gehäusetyp: TO-126 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 160 V Transitfrequenz: 140 MHz Verlustleistung: 1 W Verstärkung: 60 ...200 Verstärkung max.: 200 Verstärkung min.: 60
NTE Electronics
NTE373
ab € 1,25*
pro Stück
 
 Stück
Leistungstransistor TO-126 (2 Angebote) 
Leistungstransistor Gehäusetyp: TO-126 Polarität: PNP Kollektor-Emitter Spannung: -160 V Transitfrequenz: 140 MHz Verlustleistung: 1 W Verstärkung: 60 ...200 Verstärkung max.: 200 Verstärkung min.: 60
NTE Electronics
NTE374
ab € 1,26*
pro Stück
 
 Stück
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD243C TO-220AB 1 NPN (2 Angebote) 
Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 6 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Refe...
ST Microelectronics
BD243C
ab € 0,33*
pro Stück
 
 Stück
, Infineon BCR450BOARDTOBO1, LED-Treiberevaluierungskit BCR450 (1 Angebot) 
LED-Technologie = LED-Treiber Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = BCR450 Infineon Evaluierungsplatine für BCR450 LED-Treiber. Die Infineon BCR450 Demoplatine basiert auf...
Infineon
BCR450BOARDTOBO1
ab € 22,56*
pro Stück
 
 Stück
P-Kanal MOSFET SPB18P06PGATMA1, 60 V, 18,6 A, 130 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 81,1 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 18,6 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Sourc...
Infineon
SPB18P06PGATMA1
ab € 3,20*
pro 5 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET SPB80P06PGATMA1, 60 V, 80 A, 23 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 340 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source S...
Infineon
SPB80P06PGATMA1
ab € 1,60*
pro Stück
 
 Stück
P-Kanal MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 60 V, 8,8 A, 300 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source...
Infineon
SPD08P06PGBTMA1
ab € 3,66*
pro 10 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 60 V, 8,8 A, 300 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source...
Infineon
SPD08P06PGBTMA1
ab € 2,91*
pro 5 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET SPD09P06PLGBTMA1, 60 V, 9,7 A, 400 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source S...
Infineon
SPD09P06PLGBTMA1
ab € 14,28*
pro 50 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET SPD15P10PGBTMA1, 100 V, 15 A, 240 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 128 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source...
Infineon
SPD15P10PGBTMA1
ab € 11,14*
pro 20 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET SPD15P10PLGBTMA1, 100 V, 15 A, 270 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 128 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source S...
Infineon
SPD15P10PLGBTMA1
ab € 9,31*
pro 10 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET SPD18P06PGBTMA1, 60 V, 18,6 A, 130 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 80 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 18,6 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Sourc...
Infineon
SPD18P06PGBTMA1
ab € 3,94*
pro 5 Stück
 
 Paket
Transistor LM395T/NOPB NPN 36 V 1 A, TO-220 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter- = 36 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = Durchsteckmontage Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = ...
Texas Instruments
LM395T/NOPB
ab € 2,95*
pro Stück
 
 Stück
Transistor LP395Z/NOPB NPN 36 V 100 mA, TO-92 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter- = 36 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = Durchsteckmontage Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. ...
Texas Instruments
LP395Z/NOPB
ab € 3,89*
pro 5 Stück
 
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