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  Leistungsfaktorkorrektur bei Mercateo online kaufen (614 gefilterte Angebote unter 24.103.791 Artikeln)

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2-Segment LED-Treiber NCL30105DR2G, für -0,3 → 22 V, SOIC 8-Pin (1 Angebot) 
Anzahl der Segmente = 2 Versorgungsstrom max. = ±20 A Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SOIC Pinanzahl = 8 Versorgungsspannnung typ. = -0,3 → 22 V Abmessungen = 5 x 4 x 1.5mm Höhe = 1.5mm Länge = 5m...
ON Semiconductor
NCL30105DR2G
ab € 1,77*
pro 5 Stück
 
 Paket
3-Segment LED-Treiber NCL30100SNT1G, für 18 V, TSOP 6-Pin (1 Angebot) 
Anzahl der Segmente = 3 Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = TSOP Pinanzahl = 6 Versorgungsspannnung typ. = 18 V Abmessungen = 3.1 x 3 x 1mm Höhe = 1mm Länge = 3.1mm Betriebstemperatur max. = +150 °C B...
ON Semiconductor
NCL30100SNT1G
ab € 2,79*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDA18N50, 500 V, 19 A, 265 mΩ, TO-3P 3-Pin, 239 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 19 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 265 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDA18N50
ab € 2,39*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDA50N50, 500 V, 48 A, 105 mΩ, TO-3P 3-Pin, 625 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 48 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 105 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDA50N50
ab € 5,55*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDA70N20, 200 V, 70 A, 35 mΩ, TO-3PN 3-Pin, 417 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 35 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDA70N20
ab € 2,90*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDB12N50TM, 500 V, 11,5 A, 650 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 165 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 650 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Geh...
ON Semiconductor
FDB12N50TM
ab € 1,06*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDB15N50, 500 V, 15 A, 380 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 300 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDB15N50
ab € 1,87*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDB28N30TM, 300 V, 28 A, 129 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 250 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 28 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Drain-Source-Widerstand max. = 129 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDB28N30TM
ab € 2,33*
pro 2 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDB33N25TM, 250 V, 33 A, 94 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 235 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 33 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 94 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDB33N25TM
ab € 1,77*
pro 2 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDB44N25TM, 250 V, 44 A, 69 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 307 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 44 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 69 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD...
ON Semiconductor
FDB44N25TM
ab € 2,25*
pro 2 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD18N20LZ, 200 V, 16 A, 130 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 89 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD18N20LZ
ab € 8,27*
pro 10 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD3N50NZTM, 500 V, 2,5 A, 2,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 40 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD3N50NZTM
ab € 2,12*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD4N60NZ, 600 V, 3,4 A, 2,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 114 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD4N60NZ
ab € 4,01*
pro 10 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD5N50NZTM, 500 V, 4 A, 1,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 62 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD5N50NZTM
ab € 5,13*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD7N20TM, 200 V, 5 A, 690 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 43 W, Serie UniFET Si (4 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 690 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD7N20TM
ab € 0,198*
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