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  Junction-FET  (206 Angebote unter 27.647.773 Artikeln)

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"Junction-FET"

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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,Kaskoden-; 650V (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: THT Gehäuse: TO247;SOT429 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 24,4A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 143W Polar...
Nexperia
GAN063-650WSAQ
ab € 10,82*
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ONSEMI MCH5908H-TL-E JFET, -15V, 0.032A, 150°C, SC-88A (1 Angebot) 
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5 V Kanaltyp: n-Kanal Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor...
onsemi
MCH5908H-TL-E
ab € 0,222*
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 23A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 190W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080K3S
ab € 6,08*
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ONSEMI MCH3914-7-TL-H TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, -15V, SOT-323 (1 Angebot) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Qualifikation: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) Transistormontage: Ober...
onsemi
MCH3914-7-TL-H
ab € 0,236*
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Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK209-GR(TE85L,F), S-MINI 3-Pin (1 Angebot) 
Channel-Typ = N IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 14mA Gate-Source Spannung max. = –50 V Gehäusegröße = S-MINI Pinanzahl = 3
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
ab € 0,31*
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 40A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 326W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065040K3S
ab € 33,63*
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Texas Instruments Operationsverstärker Low Power JFET SMD SOIC, einzeln typ. 36 V, 14 Pin-Pin (4 Angebote) 
Verstärker-Typ = Low Power JFET Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SOIC Stromversorgungs-Typ = Dual Anzahl der Kanäle pro Chip = 4 Pinanzahl = 14 Pin Versorgungsspannung einzeln typ. = 36 V Verstärku...
Texas Instruments
TL064CD
ab € 0,51*
pro Stück
 
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 18,2A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 18,2A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 115W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080B3
ab € 10,35*
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TEXAS INSTRUMENTS LF356M/NOPB IC, OP AMP, SINGLE, JFET, 5MHZ, 5MA (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 3 mV IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Anstiegsrate: 12 V/µs Versorgungsspannung: 10V bis 36V Eingangsruhestrom:...
Texas Instruments
LF356M/NOPB
ab € 0,55*
pro Stück
 
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STMicroelectronics Operationsverstärker JFET SMD Swing SO, einzeln typ. 6→ 36 V, 8-Pin (2 Angebote) 
Verstärker-Typ = JFET Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SO Stromversorgungs-Typ = Single Anzahl der Kanäle pro Chip = 1 Pinanzahl = 8 Versorgungsspannung einzeln typ. = 6→ 36 V Verstärkungsbandbreit...
ST Microelectronics
TL061CDT
ab € 0,122*
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 47A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 47A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polar...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3
ab € 33,67*
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Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK209-GR(TE85L,F), S-MINI 3-Pin (3 Angebote) 
Channel-Typ = N IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 14mA Gate-Source Spannung max. = –50 V Gehäusegröße = S-MINI Pinanzahl = 3
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
ab € 0,132*
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 62A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 441W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065030K3S
ab € 45,65*
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TEXAS INSTRUMENTS TL032CP IC, OP AMP, DUAL JFET, DIP8 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Spannungsanstieg: 3.9 V/µs Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 570 µV IC-Gehäuse / Bauform: DIP Anstiegsrate: 3.9 V/µs Versorgungsspannung: ±...
Texas Instruments
TL032CP
ab € 0,38*
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 23A (1 Angebot) 
Hersteller: Qorvo (UnitedSiC) Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Verlustleistung: 190W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080T3S
ab € 9,82*
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